罗姆推出用于SiC MOSFET的新型顶部散热封装 兼具高散热能力和高电压支持

盖世汽车 李新坤2026-06-15

盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出用于SiC MOSFET的TSC3PA（14.00×18.58×3.50mm）封装。该产品采用顶部散热结构，将散热面置于封装顶部，从而实现自动化贴装，同时提供与传统通孔封装（TO-247-4L）相媲美的散热性能。这有助于提高车载充电器（OBC）和电动汽车（xEV）电动压缩机等电源转换电路的效率和可靠性。

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